- Артикул:00-01103581
- Автор: Бурре А., Мёллер X., Зингер X., Понд Р., Окутюрье М.,Вернер Ю., Бронятовский А., Блатер Г., Грютер Ф., Донолато К., Харбеке Г., де Грааф X., Мах Р., Штресслер С., Райс А., Визер Д., Айнцингер Р.
- ISBN: 5-03-001211-7
- Тираж: 3250 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: МИР (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 344
- Формат: 60х88 1/16
- Год: 1989
- Вес: 564 г
Развернуть ▼
Коллективная монография известных специалистов из Франции, Швейцарии, ФРГ, Англии, ГДР, Голландии отражает труды Международной школы по материаловедению и технологии, проведенной в Италии в 1984 г. Книга дает представление об уровне развития теории и о перспективах применения поликристаллических полупроводников в современной электронной аппаратуре.
Для инженерно-технических работников, физиков, физико-химиков и технологов, занимающихся исследованием фоторезисторов, варисторов, мишеней видиконов, электрофотографии, солнечных батарей, адсорбции и катализа на оксидных полупроводниках.
Содержание
Предисловие редактора перевода
Предисловие
Часть I. Фундаментальные вопросы физики межзеренных границ
1. Атомная структура межзеренных границ. (А. Бурре)
1. Введение
2. Кристаллографическое или геометрическое описание МЭГ
3. Дислокационная модель МЗГ
4. Модель структурной единицы
5. Экспериментальные методы, используемые для изучения атомной структуры МЗГ
6. Некоторые экспериментальные результаты
7. Заключение
Литература
2. Численные расчеты энергий межзеренной границы в германии и кремнии. (X. Мёллер, X. Зингер)
1. Введение
2. Расчеты энергии: валентные потенциалы и методы
3. Результаты
4. Дислокации на межзеренных границах совпадающих узлов
Литература
3. Геометрия протяженных граничных дефектов в полупроводниках. (Р. Понд)
1. Введение
2. Протяженные дефекты в кристаллических материалах
3. Объемные и поверхностные дефекты в монокристаллах
4. Граничные дефекты
5. Эпитаксиальные границы раздела GaAsrGe и NiSi2:Si
6. Дефекты на межзеренных границах
7. Заключение
Литература
4. Сегрегация на межзеренных границах. Зернограничная диффузия. (М. Окутюръе)
Введение
1. Сегрегации на межзеренных границах
2. Измерения сегрегации на МЗГ: некоторые полученные результаты
3. Диффузия вдоль МЗГ
4. Заключение
Литература
Часть II. Определение электронных свойств межзеренных границ
1. Электронные свойства межзеренных границ. (Ю. Вернер)
1. Введение
2. Термоэлектронная эмиссия
3. Метод легирования
4. Исследования бикристаллов в стационарном состоянии
5. Полная высокочастотная проводимость
6. Обсуждение и выводы
Приложение
Литература
2. Электронные состояния на межзеренных границах в полупроводниках. (А. Бронятовский)
1. Введение
2. Электронные состояния на МЗГ
3. Модель электростатического потенциального барьера для МЗГ в полупроводниках
4. Переходные электрические свойства уровней на МЗГ
Литература
3. Электрические свойства межзеренных границ в присутствии глубоких объемных ловушек. (Г. Блатер, Ф. Грютер)
1. Введение
2. Стационарный ДБШ без глубоких ловушек
3. Свойства, зависящие от времени
4. ДБШ с одной глубокой ловушкой
5. Численные результаты и сравнение с экспериментом
6. Итоги и выводы
Литература
4. Исследование поликристаллических полупроводников методом тока, индуцированного электронным пучком. (К. Донолато)
1. Введение
2. Метод ТИЭП
3. Контраст на межзеренных границах в режимах ТИЭП и ТИСЛ
4. Применение метода ТИЭП при пассивации МЗГ
Литература
Часть III. Свойства и применения поликристаллического кремния
1. Оптические свойства поликристаллических пленок кремния. (Г. Харбеке)
1. Введение
2. Рассеяние света
3. Коэффициент отражения и шероховатость поверхности
4. Оптическое поглощение
5. Эллипсометрия
Литература
2. Использование поликристаллического кремния в технологии изготовления интегральных схем. (X. де Грааф)
1. Введение
2. Поликремниевые элементы ИС
3. Другие применения поликремния
4. Заключение
Литература
Часть IV. Применения поликристаллических полупроводниковых соединений
1. Электролюминесценция в поликристаллических полупроводниках. (Р. Мах)
1. Введение
2. Сравнение различных типов твердотельных ЭЛ-устройств
3. Схематическое представление ТПИ переменного тока
4. Влияние технологического процесса на качество ЭЛ-индикаторов
5. Заключение
Литература
2. Электрические свойства оксидов в условиях окисления, восстановления и катализа. (С. Штресслер, А. Райс и Д. Визер)
1. Введение
2. Модели дефектов.
3. Теоретический расчет предэкспоненциальных множителей
4. Зависимость электропроводности от давления
5. Двойной барьер Шотки
6. Неоднородность плотности вакансий вблизи границы раздела
7. Зависимость высоты барьера от давления
8. Ионосорбция и электропроводность
9. Роль кислорода, степенные законы и релаксация
10. Каталитические эффекты и электропроводность
Литература
3. Развитие физических моделей варисторов на основе ZnO. (Р. Айнцингер)
1. Введение
2. Экспериментальные результаты последних десятилетий и их интерпретация
3. Современные модели и экспериментальные результаты
Литература
Рекомендуем
